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复旦团队开创新存储技术:10纳秒写入速

    以下概述了8个顶级云安全解决方案提供商的功能,这些提供商可以帮助组织改善安全状况,并降低风险。以下列出的供应商跨越多种类别的云安全解决方案,包括工作负载保护和云访问安全代理(CASB)。

  2004年8月份至9月份进行卡机联调改造工作。2004年9月中旬到12月中旬因驻马店联调基本完毕,被公司调派驻马店办事处做运维及协调工作。

复旦团队开创新存储技术:10纳秒写入速

  用于准非易失应用的范德瓦尔斯结构半浮栅存储。

  二维材料的新组合在其中发挥了关键作用。

  “这项研究创新性地选择了多重二维材料堆叠构成了半浮栅结构晶体管:二硫化钼、二硒化钨、二硫化铪分别用于开关电荷输运和储存,氮化硼作为隧穿层,制成阶梯能谷结构的范德瓦尔斯异质结。 ”周鹏介绍,选择这几种二维材料,将充分发挥二维材料的丰富能带特性,“一部分如同一道可随手开关的门,电子易进难出;另一部分则像以面密不透风的墙,电子难以进出。 对‘写入速度’与‘非易失性’的调控,就在于这两部分的比例。

”  写入速度比目前U盘快10000倍,数据刷新时间是内存技术的156倍,并且拥有卓越的调控性,可以实现按照数据有效时间需求设计存储器结构……经过测试,研究人员发现这种基于全二维材料的新型异质结能够实现全新的第三类存储特性。

  2017年,团队在Small上报道了利用二维半导体的丰富能带结构特性解决电荷存储技术中的“过擦除”现象。

后续在存储器研究中,团队发现,当利用二维半导体实现新型结构存储后,会有更多“奇异新特性”。   二维材料发轫于石墨烯的发现,在平面内存在强有力的化学键键合,而层与层之间则依靠分子间作用力堆叠在一起。

因此,二维材料可以获得单层的具有完美界面特性的原子级别晶体。 同时它是一个兼有导体、半导体和绝缘体的完整体系。

  这对集成电路器件进一步微缩并提高集成度、稳定性以及开发新型存储器都有着巨大潜力,是降低存储器功耗和提高集成度的崭新途径。

基于二维半导体的准非易失性存储器可在大尺度合成技术基础上实现高密度集成,将在极低功耗高速存储、数据有效期自由度利用等多领域发挥重要作用。

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